Vishay推出高性能60 V TrenchFET:registered: 第四代 N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率,导通电阻比前代器件降低36%,同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品水平。 日前发布的器件10 V条件下导通电阻降至1.7 m,栅极电荷仅为52 nC,输出电荷为68 nC,COSS为992 pF。在功率转换应用中,这款MOSFET的栅极电荷