导读:日前,TE Connectivity旗下的一个电路保护业务部门宣布推出新一代SESD系列器件,该SESD系列器件可提升现有的小型低电容SESD器件产品线,以实现20kV及更高的浪涌保护能力。
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n
功率MOS场效应晶体管全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),简称功率MOSFET,它是
Vishay Intertechnology推出将遥控接收器与IrDA收发器整合到单个3透镜表面贴装封装中的新型器件TFDU7100以面向PC市场的需求,从而扩展了其光电子产品系列。 当装配到笔记
这是一个简单接绍mosfet器件的ppt,里面含有简单的工艺流程和工作原理。
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.),推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现业界最高功效级别*1 和IEC61000-4-2的4级ESD标准*2 的
Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者
EMC电感选择 EMC电感用在输入和输出过滤器可以用来减少传导干扰,用于低于EMC标准的限制设计。所有的电感器都需要铁粉磁心而非铁氧体。在它饱和前,可以处理更大电流,需要依据负载选择合适的电流值。