旋涂法制备γ Al2O3/ SrTiO3异质界面上的准二维电子气

带有二维电子气的复合氧化物异质界面由于其新兴的性质而备受关注。 然而,大多数使用具有相对高能量粒子的方法来制备,这不可避免地会导致一些缺陷。 在此,解决了使用旋涂法在尖晶石型Al2O3 / SrTiO3异质界面处的准二维电子气中的关键挑战。 所生长的Al 2 O 3膜具有原子级的光滑表面并且厚度为约70nm。 观察到在800°C退火的异质界面,靠近SrTiO3的厚度约为3 nm的γ-Al2O3层和γ-Al2O3顶部的非晶Al2O3层。 在高于750°C的退火温度下,异质界面表现出金属行为,这归因于γ-Al2O3的主导层。 在800 K退火的异质界面上,在15 K下,薄层载流子密度约为3.1×1015 cm-2。霍尔迁移率为4924.4 cm2 V-1 s-1。 我们的工作为在高质量氧化物界面上大规模,大面积生产二维电子气提供了一种低成本途径。 由AIP Publishing发布。