Al2O3 / AlGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的极化诱导的远程界面电荷散射

东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布使用CMOS兼容工艺开发高功率增益晶体管。该晶体管可有效降低高频射频/模拟前端应用的功耗。详细信息将于6月12日在2013年超大规模集成电路技

向神东煤灰中添加Al2O3,通过煤灰熔融性测试,分析Al2O3对神东煤灰熔融温度的影响;通过激冷实验、X射线衍射（XRD）、热重分析及热力学软件FactSage,探究Al2O3对神东煤灰熔融特性的影响

等离子喷涂纳米结构Al2O3基涂层的性能分析，杨勇，阎殿然，采用等离子喷涂技术在金属表面制备纳米结构Al2O3基涂层，研究等离子喷涂功率对纳米涂层显微组织结构和性能的影响规律，以及涂层的�

Al2O3对激光熔覆Ni基涂层性能的影响，况军，徐艳菊，本实验研究了在Ni60合金粉末中添加Al2O3粉末，采用预置涂层法，在45钢基材表面进行激光熔覆，得到Al2O3/Ni金属陶瓷涂层。研究了加入A

添加Al2O3对CuW合金阴极斑点运动特性的影响，曹伟产，马德强，采用熔渗法制备了添加Al2O3的CuW合金，研究了添加Al2O3的CuW合金的显微组织和真空击穿性能，同时利用高速摄影观察CuW合金的

实验以王台铺的煤矸石为原料,采用单因素实验和正交实验的方法,研究了硫酸作为酸浸介质浸取煤矸石中Al2O3的浸取率。通过对浸取时间、助溶剂/样品质量比、硫酸浓度、液固比四个影响因素作平行实验,得到各因素

据报道,在6 K下,Al-.GaN / GaN异质结构中的二维电子气(2DEG)漂移引起的宽带太赫兹(THz)发射。 该器件根据史密斯-珀塞尔效应和2DEG中“浅水”等离子体的不稳定性机理设计为THz

表1是通过eb结加反向电压测电阻的一组数据,13VFBE及14VFBE、15DELTA是测R总电阻上的电压差ΔV,16DEF是R总电阻上的电流差ΔI,17R1+R2是ΔV/ΔI=R,18VFBE及19

单结晶体管又叫双基极二极管,它的符号和外形见附图。 判断单结晶体管发射极E的方法是:把万用表置于R*100挡或R*1K挡,黑表笔接假设的发射极,红表笔接另外两极,当出现两次低电阻时,黑表笔接的就是

图1中的简单晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型,并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管三个端子T1、T2和T3之间流过的各种可能电流方向的组合。 图1 用计数顺和晶体管就