四象限光电探测器实际由四个光电探测器构成,每个探测器一个象限,目标光信号经光学系统后在四象限光电探测器上成像,如图1。一般将四象限光电探测器置于光学系统焦平面上或稍离开焦平面。当目标成像不在光轴上时,
图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置[56],从图可见,N阱与P+区构成一个二极管,称为工作二极管D。;N阱与衬底构成一个二极管
CM0S工艺是为重要的微电子制造技术,具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺,单阱工艺只含一个阱(N阱或者P阱)。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上,而将PMO
将多个PN型光电探测器组成阵列,可以形成光电成像系统中的摄像器件。摄像器件的功能是将照射到探测器阵列上的光学图像信息以电信号形式按时序串行输出。常见的固体摄像器件有CMOS(Complementary
基于光生伏特原理的结型有机光电探测器(OPDs)被广泛研究。首先介绍了结型OPDs的三种主要结构及其原理,包含了平面异质结、体异质结和平面-体复合异质结,并介绍了结型OPDs的基本性能参数。基于构成异
钙钛矿材料因其可调带隙工程、高吸收系数、长程平衡载流子传输距离等光学、电学特性而在光电探测领域表现出光明的应用前景。钙钛矿晶体包含了微晶/多晶薄膜、块体单晶和低维纳米单晶等不同形貌。依次介绍了基于不同
成熟的CMOS 技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III~V 族半导体材料。综述了近期III~V 族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按
基于标准CMOS工艺的UV/blue光电探测器
具有内部放大功能的a-Si光电探测器
GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速
