由于51的电子空穴离化率之比很高,用它制作的的雪崩二极管噪声低,暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟,所以51材料被广泛应用于APD结构中,而GaAs则较少使用。图1 所示是一个
太赫兹量子阱光电探测器中光子介导的光电流
具有不同缓冲结构的气源MBE生长的波长扩展InGaAs光电探测器的性能
光电探测器电路用于对光电转换器件输出的微弱电压或电流信号进行放大、处理和整形输出。对于不同探测用途而采用的光电转换器件不
分析了崖层在单行载流子光电探测器(UTC-PD)中的作用,以及其对UTC-PD的3 dB带宽的影响。研究结果表明,崖层使得异质结处电场强度增加,且电场向吸收区延伸,使电子在吸收区的渡越时间和积累程度降
实现了波长调谐范围为8 nm的集成液晶可调谐谐振腔增强型(RCE)光电探测器,并且对相应的实验结果进行讨论.这种器件可用在波分复用(WDM)光网络中.
首次提出并构建了自准直仪光电探测器失调数学模型。基于该,计算相对理论像面处空间任意位置和朝向时对自准直仪测角的影响。结果表明,意位置和朝向时对自准直仪测角的影响。结果表明,探测器失调造成的测角误差随准
半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子ˉ空穴对,在适当内电场作用流子的漂移,欧姆接触收集载流子。半导体
(1)各种光电探测器的性能比较 在动态特性(即频率响应与时间响应)方面,以光电倍增管和光电二极管(尤其是PIN管与雪崩管)为;在光电特性(即线性)方面,以光电倍增管、光电二极管和光电池为;在灵敏度
目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤
