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由于51的电子空穴离化率之比很高,用它制作的的雪崩二极管噪声低,暗电流小。同时人们对51的特性有很深入的了解且加工工艺成熟,所以51材料被广泛应用于APD结构中,而GaAs则较少使用。图1 所示是一个
太赫兹量子阱光电探测器中光子介导的光电流
光电探测器电路用于对光电转换器件输出的微弱电压或电流信号进行放大、处理和整形输出。对于不同探测用途而采用的光电转换器件不
Transient characteristics analysis of metal_semiconductor_metal photodetectors
薄膜InGaAs光电探测器的偏振无关宽带吸收增强
AlGaN具有宽的直接禁带,非常适合于制作紫外探测器。通过改变组份,AlGaN的禁带宽度可从3.4 eV(GaN) -6.2 eV(AlN),其截止波长可从365 nm(GaN)~200 nm(AlN
欧姆GaAs纳米线光电探测器的制备与表征
首次提出并构建了自准直仪光电探测器失调数学模型。基于该,计算相对理论像面处空间任意位置和朝向时对自准直仪测角的影响。结果表明,意位置和朝向时对自准直仪测角的影响。结果表明,探测器失调造成的测角误差随准
实现了波长调谐范围为8 nm的集成液晶可调谐谐振腔增强型(RCE)光电探测器,并且对相应的实验结果进行讨论.这种器件可用在波分复用(WDM)光网络中.
目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤
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