随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-
Msp430_metal detection
基于stm32实现金属物体探测定位,传感器ldc1000,完成版源程序。
电子-金属探测.rar,单片机/嵌入式STM32-F0/F1/F2
图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 P+-N型光电二极管采用在电阻率p=6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二
简单介绍半导体激光电源的应用和理论背景。新型的半导体激光电源的开发和理论
本报告为天风证券出品的有色金属行业深度研究系列之一,专注于半导体新材料领域。报告详细剖析了半导体新材料的发展现状、市场需求及未来趋势,为投资者提供了有价值的行业洞察。通过深入研究,我们发现半导体新材料
采用有限时域差分法,研究了内嵌金属块长度与夹缝宽度对金属绝缘体金属波导结构的光透射特性的影响。研究发现,此结构相比较于单一直波导而言,出现了一个很明显的透射峰。并且当金属块的长度较大时,其与波导上表面
为了提高工作速度和响应度,往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点:(1)由于高的势垒,因此有较低的暗电流;(2)工作速度高;(3)高阻抗适于焦平面阵列读出电路;(4)通过调整本
集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器;其中电路部分则不是决定性的因素。 图1 基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管 图1中介绍了—种基于0.6 g
