金属_半导体_金属光电探测器的瞬态特性分析

超高速光电探测器件德国Advanced Laser Diode Systems公司提供带宽可达20GHz、响应频率范围覆盖从小于400nm到1.6 μm 的高速光电二极管。该光电二极管采用MSM（金属

目前广泛使用的摄像器件是CCD型摄像器件。CCD于1970年由贝尔实验室发明[82],此后关于CCD的研究蓬勃发展,CCD像素尺寸由1972年的40um减小到了1995年的5 gm,像素单元也从早的不

由于在MgO绝缘层中发生的碰撞电离过程导致的载流子雪崩倍增,已经由Au / MgO / ZnO / MgO / Au结构制造了基于氧化锌(ZnO)的紫外线(UV)雪崩光电探测器(APD)。 APD的响

超快硅基光电探测器

在波长为1.55 gm的长波长区域,由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题,人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP,通过调整化合物组分含量使它能在1.2~1.6 gm波长范围内工作

采用有限时域差分法,研究了内嵌金属块长度与夹缝宽度对金属绝缘体金属波导结构的光透射特性的影响。研究发现,此结构相比较于单一直波导而言,出现了一个很明显的透射峰。并且当金属块的长度较大时,其与波导上表面

本报告为天风证券出品的有色金属行业深度研究系列之一，专注于半导体新材料领域。报告详细剖析了半导体新材料的发展现状、市场需求及未来趋势，为投资者提供了有价值的行业洞察。通过深入研究，我们发现半导体新材料

图1给出了一种基于透射深度相关的强波长全硅彩色传感器结构阳。彩色传感器与所必需的电信号处理电路以双极工艺集成在一起。 P+-N型光电二极管采用在电阻率p=6Ω·cm的N型外延层上注入硼形成。光电二

简单介绍半导体激光电源的应用和理论背景。新型的半导体激光电源的开发和理论

为了提高工作速度和响应度,往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点:(1)由于高的势垒,因此有较低的暗电流;(2)工作速度高;(3)高阻抗适于焦平面阵列读出电路;(4)通过调整本