Al2O3 / SiO2叠层电介质的4H SiC金属绝缘半导体结构的研究

原子层沉积(ALD)Al2O3 /干氧化超薄SiO2膜作为高k栅极电介质生长在硅上本文研究了8°离轴4H-SiC(0001)外延晶片。 金属-绝缘-半导体(MIS) 分别制造并比较了具有不同栅极介电叠层(Al2O3 / SiO2,Al2O3和SiO2)的电容器彼此。 I–V测量表明,Al2O3 / SiO2堆具有较高的击穿场(12 MV / cm) 与SiO2相当,并且在4 MV / cm的电场下具有110-7 A / cm2的相对较低的栅极泄漏电流到Al2O3。 1 MHz的高频C–V测量表明,Al2O3 / SiO2叠层具有较小的正值平带电压漂移和磁滞电压,表明界面附近的有效电荷和慢阱密度较低。