金属纳米粒子增强的局部电场对富硅氮化硅电致发光的调控作用

富硅氮化硅(SiNx)基发光器件(LED)的电致发光(EL)波长调整是通过调整Ag纳米粒子的尺寸来实现的。 在基于SiNx的LED中观察到两个EL峰,这两个峰均随着Ag纳米颗粒尺寸的增加而红移。 通过基于简单模型的银纳米粒子周围的局部电场的计算,提出了对此位移的合理解释。 两个EL峰的这种红移及其相对强度的演变主要是由于随着Ag纳米颗粒尺寸的增加其减弱的电场增强。 我们的工作为制造具有可调EL波长的基于SiNx的LED提供了另一种方法。