n ZnO/p CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率的理论计算 (2001年)

用隧道-复合模型对n-ZnO/p-CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率进行了理论计算,考虑到在多晶材料中的晶界复合损失,引入修正因子,并用Rothwarf的晶界复合模型进行修正。对晶粒半径R为1μm的电池进行计算,得到电池的短路电流密度为35.4mA/cm2。开路电压为O.42V,转换效率为10.1%。理论计算和实验结果基本一致。