用改进的预分频器和前置放大器实现低相位噪声的CMOS频率合成器

一种低相位噪声锁相环频率合成器的设计与实现,该设计利用了新型的前置放大器与预分频器,在采用TSMC0.35μmCMOS工艺的情况下,带宽为20MHz～920MHz.

用改进的预分频器和前置放大器实现低相位噪声的ＣＭＯＳ频率合成器周忠玲，李冬梅（清华大学微电子学研究所，北京１０００８４）摘要：一种低相位噪声锁相环频率合成器的设计与实现，该设计利用了新型的前置放大器与预分频器，在采用ＴＳＭＣＯ．３５斗ｍＣＭＯＳ工艺的情况下，带宽为２０ＭＨｚ～９２０ＭＨｚ。关键词：频率合成器ＤＭＰＰＬＬ前置放大器分频器低相位噪声在ＣＭＯＳ收发器中，片上低噪声频率合成器的设计最为重要，由于无线通信系统中的信道间隔很接近，应用在无线收发器中的ＲＦ频率合成器有着严格的频率指标与相位噪声指标【２】［３】。本文在传统设计结构的基础上针对相位噪声的问题对分频器以及前置放大器进行了改进。图ｌ给出了本设计采用的频率合成器的总体结构，图２采用ＤＭＰ技术的分频器结构包括前置放大器、分频器、可编程计数器（Ｎ，Ｒ）、鉴相器和可编程增益电荷泵、无源滤波器等模块。移位寄存器分频，总的分频数可计算如下：负责接收来自ＭＣＵ的控制数据，然后配置Ｒ、Ｎ计数器Ｊ７、ｒ＝Ｐ［皿竽＋姒产】＝ＰⅣｐ＋Ｊｓ（１）的分频比，从而决