本文主要讲了IGBT等效电路图及IGBT检测方法,希望对你的学习有所帮助。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和
详细讨论与MOSFET栅极电荷和工作频率相关的MOSFET驱动器功耗。还将讨论如何根据MOSFET所需的导通和截止时间将MOSFET驱动器的电流驱动能力与MOSFET栅极电荷相匹配。对设计MOSFET
该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于:线的欧姆区。对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。对于给定的一个栅-源电压,如果
MOSFET系列资料doc,众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本
在很多时候开发需要配一个电源,而在电源中开关电源最常见,不管是正激式,反激式等都需要用到一个元器件,这个元器件可以说是开关电源的关键,那就是场效应管,大多人称MOS管,而MOS的不同封装就有不同的技术
高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化,给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南,就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微
电子-MOSFET.pdf,单片机/嵌入式STM32-F0/F1/F2
Vishay小功率贴片MOSFET选型表,SI23xx系列,SI2301,SI2302等
朋友发给我一个文件,资料介绍比较齐全,与同志们分享下,希望有用