暂无评论
功率MOSFET的正向导通、反向导通、正向截止等效电路,稳态特性总结;包含寄生参数的功率MOSFET等效电路;功率MOSFET的开通和关断过程原理;因二极管反向恢复引起的MOSFET开关波形;功率MO
本文详尽讲述了MOSFET的几个基本要点及使用规范,尤其在做BLDC控制器开发的软件人员适合阅读,有助于提高代码可靠性。
关于开关电源中MOSFET驱动电阻的选择和参数设计,其中有电压电流波形、IC的的PWM输出、不同PCB走线对MOS驱动的影响。
学习电源的基础知识--BJT与MOSFET的开关应用
MOSFET驱动电阻的选择
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是也是容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏
模拟电路如何选择节能、高效的MOSFET前不久,能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求,同时进一步降低待机功耗要求。例如,为了满足新规范,2.5W(5V,0.5A)外部电
MOSFET开关的动态过程分析,在高频高压情况下使用要特别注意
导读:近日,德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压,进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56
暂无评论