同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参
在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较
率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与
晶体管开路集电极组成的电路是最基本的开关电路。图1所示的74系列TTL的开路集电极上附加上拉电阻的电路,图2所示的晶体管2SC2655上,附加集电极负载电阻RC进行驱动。 图1 晶体管开路集电极—
怎样选择LED电源?我们在这里详细介绍一下,主要有以下指标:输入电压、输出电压、输出功率、防护等级等。本文档从以下几方面详
MOS管门级驱动电阻计算.pdf
在推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件,而MOSFET是电压控制器件。
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也
飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件
