MOSFET 驱动器与MOSFET 的低功耗匹配设计

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MOS管的驱动，在国内很多教科书中介绍得不全面，想用好MOS，可以参考下这个文档。 不足之处，请交流。 邮箱：zdl8@tom.com

我们先来看看MOS关模型: Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二

描述 LTC:registered:4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了

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同刚才资料一样，如果计算设计过程中，MOSFET的功耗

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随着供电电压的降低和绿色能源的普及,设计者应该重新检查电路中持续耗电的部分,从而降低整个系统的能耗。需要持续供电的“常开”( normally-ON)电路,现在可以通过一些新的器件来重新设计,以减少能