IGBT驱动芯片

dfgdg 43 0 PDF 2019-06-04 22:06:00

IGBT驱动芯片集成饱和压降检测和驱动,饱和压降修改灵活保护速度快

推荐下载

变频器的IGBT驱动保护电路及死区补偿研究

IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种电压控制型功率器件,它所需驱动功率小,控制电路简单,导通压降低,且具有较大的安全工作区和短路承受能力。因此,目前IGBT已在中功率以上的电力电子系统中(如变频器、三

VO3120 配有一个 LED,与带功率输出级的集成式电路进行光耦合。这种光耦合器是驱动电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET 的理想之选。输出级的高工作电压范围提供栅极控制器件所需

介绍了光电耦合器件HCPL-3120和HCPL-316J的功能和特点。三相电压型逆变器的每相均由上下桥臂(两个IGBT)组成,采用HCPL-3120驱动IGBT模块(BSM10GP120)的上桥臂,采

本资料介绍了IGBT门极驱动保护电路的分类,驱动电路设计方案比较(主电路设计和控制电路设计),帮助学者快速了解掌握IGBT驱动电路原理及设计方法。

电路设计方案

IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成

我国首条8英寸绝缘栅双极型晶体管(IGBT)专业芯片线,6月20日在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成,打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断,对保障国民经济安全和推动节能减排具有重大战略意义。

用户评论

请输入评论内容

评分：

暂无评论