IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种电压控制型功率器件,它所需驱动功率小,控制电路简单,导通压降低,且具有较大的安全工作区和短路承受能力。因此,目前IGBT已在中功率以上的电力电子系统中(如变频器、三相逆变器、四相限整流器等)逐渐取代了POWERMOSFET及IPM等器件而成为功率开关元器件市场中的重要一员。然而如何有效地驱动并保护特别是高压大电流IGBT则成为目前电力电子领域中的重要研究课题之一。一个性能好的驱动电路不但能在正常工作状态下给IGBT提供所需的驱动功率,在异常工作状态下能起保护IGBT的作用,而且应当能使电力电子系统中的高压与其他电路有很好的隔离特性。虽然采用光纤驱动技术可以使隔离电压