在过去的20多年,出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块,在如功率MOS-FET,绝缘栅双极晶体管IGBT,碳化硅(SiC)器件等领域都有 了不同程度的新进展(以下未特别注明的MOSFET、IGBT
直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G)无线网络中的多模式和多标准要求,随之要求能够处理全球400MHz至4GHz范围内的信号,因而基础设施和移动设备开发商寻求系统器件达到新的性
It would not be an exaggeraTIon to say that semiconductor devices have transformed humanlife. From c
1 引言 半导体激光器(LD)具有体积小、重量轻、转换效率高、工作寿命长等优点,在工业、军事、医疗等领域得到了广泛应用。LD是以电流注入作为激励方式的一种激光器,其使用寿命、工作特性在很大程度上取
国际半导体激光会议每2年举行一次。第1次是1967年在美国的拉斯维加斯召开,第2次是1969年在墨西哥召开,预定在1971年举行的第3次会议延期到1972年5月15~17日在美国的波士顿召开。
摘要:半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之问,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现
半导体分布反馈(DFB)激光器以其卓越的光谱特性、调制特性以及低成本、可量产优势已经成为光纤通信、空间光通信中的重要光源,并将在5G、数据中心、激光雷达以及微波光子学等应用中发挥不可替代的作用。针对通
半导体激光器从诞生至今半个世纪,在理论、实践和应用方面取得了巨大进展,占据了整体激光领域的大部分市场,广泛应用于通信网络、工业加工、医疗美容、激光传感、航空国防、安全防护,以及消费电子等领域。本文在回
Vortran激光技术公司推出Stradus系列半导体激光模块,该系列产品可提供多种波长选择,适合应用于生物医学、科研以及实验室等应用领域。该系列可提供的波长包括660nm 100mW、642nm 1
在重新梳理高能激光底层物理问题的基础上,指出半导体泵浦气体激光器将是未来高能激光器的重要发展方向,讨论了半导体泵浦气体激光器的基本原理和核心要求,并以半导体泵浦碱金属蒸气激光器为例进行了详细剖析,对半