在过去的20多年,出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块,在如功率MOS-FET,绝缘栅双极晶体管IGBT,碳化硅(SiC)器件等领域都有 了不同程度的新进展(以下未特别注明的MOSFET、IGBT或IGCT等,均是指用硅晶片制成的)。 1)功率MOSFET 1979年,功率MOSFET场效应晶体管问世。由于它的输入阻抗高、开关速度快和热稳定性好,可以完全代替功率晶体管GTR和中小电流的晶闸管 ,使电力电子电路如开关电源实现高频化成为可能。其电压电流定额已经达到了500V/240 A、1500V/200 A。功率MOSFET的特点是开关损耗小, 但是通态功耗大,而且功率MOSFE