半导体简化直接变频设计

直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G)无线网络中的多模式和多标准要求，随之要求能够处理全球400MHz至4GHz范围内的信号，因而基础设施和移动设备开发商寻求系统器件达到新的性能水平。幸运的是，随着硅锗(SiGe)和CMOS半导体工艺的不断改进，集成度得以提高，同时功耗有所下降。利用直接变频架构，无线电设计人员还能够实现较宽的设计频率范围，并可在单个硬件平台上调整带宽。与无线基站的传统IF采样接收机方法相比，该架构具有许多优点，并结合平衡防阻塞的RF解调器和模数转换器(ADC)技术的优势，利用自适应性校正技术来处理残余信号损坏。(Eb/No)和其他噪声贡献余量。3GLTE标准要求至少60dB的总半导体简化直接变频设计镜像抑制性能。此外，在指定解调器本振(LO)相位噪声时，还必须考虑到宽带接收机中相互混频这一重要现象。LO相位噪声会对附近的未滤波阻塞进行调制，向所需通道中增加随着半导体工艺的不断进步，集成电路得以具备无线基础设施直接变Pblocker_dBm-LO_NoisedBc/Hz噪声。频接收机所需的性能，能够满足多模式通信系统的需求。直接变频信号链（图1）可以为3G和4G系统提供低成本的接作者：CecileMasse收机解决方案。其架构没有其他接收机复杂，并且无需实中频直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G)采样架构中使用的多个表面声波(SAW