沉积氧压对ZnMgO薄膜结构、磁性及光学性质的影响,齐燕,全志勇,采用脉冲激光沉积系统,在不同沉积氧压下制备了高质量纤锌矿结构ZnMgO薄膜,并且随沉积氧压的增加,薄膜的结晶度越来越好。氧气氛�
氧分压对非晶SiO2薄膜结构及性能的影响,丁安邦,牟宗信,不同氧分压下,采用中频反应磁控溅射方法在单晶硅基体上制备SiO2 薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、原子力
退火气氛对TiO2薄膜结构及性能的影响,张平,孙翔宇,阻变存储器是一类新型非易失性存储器,具有功耗低、读写快、保持特性好、可小型化等特点。本文主要研究了采用脉冲激光沉积(PLD)
溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响,任雪勇,谢泉,采用射频磁控溅射技术在Si(100)衬底上沉积了Si-Ca-Si薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不
采用射频磁控溅射法,在K9 抛光玻璃基底上沉积氧化钒(VOx)薄膜,研究在其他参数保持不变时氧分压参量对薄膜的结构、表面质量及透光性能的影响。利用表面轮廓仪、X 射线衍射仪、原子力显微镜及分光光度计分
对不同离子束密度条件下辅助沉积的ZnS薄膜进行了物理及光学特性研究。研究结果表明,在离子束辅助沉积ZnS薄膜时会出现非均匀生长现象, 且非均匀性和折射率会随着离子束密度的增加而增大, 薄膜结晶程度也增
在脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜的实验中,保持其他实验参数不变,衬底温度分别取30,200,400和600 °C来沉积类金刚石薄膜。用拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪对不同衬底温度下沉积的类金刚石薄膜的
采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500 °C快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20 °C~80 °C温
热处理温度对溶胶凝胶法制备ZnO:Sn薄膜性能的影响
Ce掺杂对CuInS2薄膜结构和光电性能的影响
