反应磁控溅射制备钇掺杂氧化铪薄膜及性能的研究,戈占伟,张昱,本文研究了在低阻硅衬底上,采用纯铪与纯钇金属靶,氧气为反应气,采用新颖的反应磁控溅射法制备了钇掺杂氧化铪薄膜。并对制得的
光处理对量子点薄膜中超快激子动力学特性的影响,李博,吴红琳,在长时间光处理下,观察到了CdSe量子点薄膜光致荧光效率增强、光谱蓝移和寿命增加的现象。光处理前后的荧光动力学对比研究结果表�
退火对双离子束溅射沉积Ta2O5薄膜中残余应力的影响
研究了HfO2/SiO2高反膜中植入2 μm的SiO2小球所形成的节瘤的界面连续性对损伤特性的影响。采用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了两种不同厚度的1064 nm高反膜。它们的电场分布和吸收相近;
针对斜入射激光辐照光学薄膜的情况,将激光的电矢量正交分解为s偏振和p偏振,并从麦克斯韦方程组出发,求得激光在膜层中传输的电磁场分布,进而对薄膜的光学特性进行了数值分析。以高反膜为例,结果表明:随着入射
薄厚对GZO透明导电薄膜结构和光电性能的影响,张传瑜,王绪本,本文主要是采用射频磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积掺镓氧化锌(GZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度计、Hal
研究了氧掺杂Ge-Sb-Te磁控溅射相变薄膜在400~800 nm区域的光学常数(n,k),发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线
磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜,张彦彬,肖井华,利用磁控溅射方法制备了纳米级厚度的银膜,同时使用原子力显微镜和扫描电子显微镜方法对薄膜的微结构进行了测试分析。测试结果表
研究了磁控溅射制备的Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明,晶态薄膜反射率较高,并在600~900nm波长范围内,晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在CD-E
热处理后GO/MnO2电极材料微观结构对电容增效的影响,王令云,王勇,不同温度下热处理氧化石墨烯(graphene oxide, GO), 并按20wt%含量将其与MnO2复合, 制得GO/MnO2复