快速热处理对磁控溅射VO2薄膜光电特性的影响

采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500 °C快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20 °C~80 °C温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上;THz波的透射率在半导体金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现,热处理500 °C,10 s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大,当热处理时间达到15 s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显。快速热处理时间的长短对热致相变温