最初在室温下连续振荡的半导体激光器是GaAlAs-GaAs激光器。这种激光器,其振荡波长与当时的光纤的低耗损区一致,所以曾有许多人用以从事于光通信的研究。以后,随着光纤技术的进步,其损耗最低的波段移向
用载流子速率方程分析了高温CW半导体激光器(LD)阈值电流(Ith)与温度(T)的关系.数值计算结果分别给出了与T有关的腔内损耗、双分子复合和俄歇过程以及载流子泄漏效应对Ith的贡献大小.
半导体激光器是光纤通讯,激光显示,气体探测等领域中的核心部件,受到全世界科技人员的广泛关注。在半导体激光器的生产、研发过程中,对激光器的光电特性的测量尤为重要,是控制激光器制备工艺的稳定性,激光器性能
摘要:在对激光器的温度控制理论作了深入研究的基础上,为了使激光器工作时温度恒定,设计了一种新型的温度控制电路,电路中采用了ADN8831作为的核心器件,结合PWM控制方案,完成了包括输入级、补偿环节、
谢红云1,安振峰2 ,陈国鹰1(1.河北工业大学信息学院,天津 300130;2.中电科技集团电子13所,河北 石家庄 050051)摘要:综合介绍了目前半导体大功率激光器普遍采用的材料结构、芯片结构
半导体激光器是光纤通讯,激光显示,气体探测等领域中的部件,受到全世界科技人员的广泛关注。在半导体激光器的生产、研发过程中,对激光器的光电特性的测量尤为重要,是控制激光器制备工艺的稳定性,激光器性能可靠
报道了基于半导体增益开关技术的皮秒脉冲掺铒激光器,该激光器可输出脉冲宽度为80 ps的光脉冲,具有重复频率可调的特点(100 kHz~20 MHz)。在重复频率为20 MHz时,经过主功率振荡放大器(
到目前为止,报导的只是研制了用电子束横向泵浦的紫外半导体激光器,有用ZnO晶体的(λ=375~379 nm)和用ZnS晶体的(λ=330 nm)。但是,要解决在光栅光学显微术、光学定位术和光电印刷术中
摘要:本文对用于通信设备的半导体激光器温度控制电路进行了模型建立和分析,并从自动控制的角度对温控电路形式进行了详细的性能指标分析和测试,通过对不同的控制方法的仿真分析和实测数据的对比得出了一种较为有效
激光(Laser)是“受激辐射光放大”的简称,是一种亮度极高、方向性和单色性很好的相干光辐射。产生激光的跃迁过程是:自发辐射、受激吸收与受激辐射,可以用一个简单的两能级系统来定性说明,如图1所示。在这
