半导体激光器是光纤通讯,激光显示,气体探测等领域中的核心部件,受到全世界科技人员的广泛关注。在半导体激光器的生产、研发过程中,对激光器的光电特性的测量尤为重要,是控制激光器制备工艺的稳定性,激光器性能可靠性的关键环节。 半导体激光器是半导体光电转换器件。如图1所示,半导体激光器由多层材料构成。自下而上包括背电极,衬底,下光限制层,下波导层,有源层,上波导层,上限制层,上电极。不同层由不同的外延材料组成。如此层状结构是为了达到1)载流子(电子,空穴)的注入复合发光,2)光子横向限制,形成光波导的目的。外延完成的层状结构要经过刻蚀工艺,形成脊波导,在脊波导上制备接触电极。如此脊波导的目的是1