MMSZ56T1G的技术参数

dassaddwa 9 0 PDF 2020-12-13 05:12:48

产品型号:MMSZ56T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):53.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):56齐纳击穿电压Vz最大值(V):58.800@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):200最大功率PMax(W):0.500芯片标识:Z4封装/温度(°C):SOD123/-55~150价格/1片(套):¥.40

推荐下载

MMSD103T1G的技术参数

产品型号:MMSD103T1G最小反向电压VR(V):250最大反向漏电流IR(?A):100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):5反向恢复时

MMDL914T1G的技术参数

产品型号:MMDL914T1G最小反向电压VR(V):100最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):4反向恢复时间t

MUN2211T1G的技术参数

产品型号:MUN2211T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/

DAP222T1G的技术参数

产品型号:DAP222T1G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):3.

NTGS3441T1G的技术参数

产品型号:NTGS3441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):2.350通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP-

NTGS3446T1G的技术参数

产品型号:NTGS3446T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):5.100通道极性:N沟道封装/温度(°C):TSOP-

MMVL409T1G的技术参数

产品型号:MMVL409T1G最小反向电压VR(V):20最大二极管电容CT@V(Max)( pF):32最大二极管电容CT@VV:3正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Max)( nA

PZT751T1G的技术参数

产品型号:PZT751T1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):75直流电流增益hFE最大值(dB

DAN222T1G的技术参数

产品型号:DAN222T1G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):3.

MBRM140T1G的技术参数

产品型号:MBRM140T1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):40平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.55@1.0A非重复峰值浪涌电流IFS

用户评论

请输入评论内容

评分：

暂无评论