近来,使用半导体激光器的产品在增加,如光通讯系统、用半导体激光器作光源进行再现的视频和声频唱片、激光印字机、光学唱片存贮器等都是突出的例子。这表明,半导体激光器巳经发展到了能够实际应用的阶段。事实上,
一、半导体激光器简介 半导体激光器俗称激光二极管,因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆、电源系统、控制系统及机
地面和空间通讯系统对半导体激光器的功率要求是逐步增加的。影响注入式激光器的最大输出功率的大部分因素正在继续研究和发展中。近来,有关这方面的工作已经表明,最大功率输出的激光二极管的最隹面积是10
在一次少有的记者招待会上,贝耳实验室透露了一种在纤维光学通信上具有革命性潜力的新型半导体激光器。这种器件被称为解理耦合腔或C3激光器,它被誉为第一只可从一种频率向另一种频率进行超纯频率调制的实用光通信
研制了一种板级多通道半导体激光器温控系统,将其应用于混合气体检测中可实现同时对多个半导体激光器温度的控制。该系统硬件上由多通道温度采集模块、数字信号处理器模块、半导体制冷器(TEC)和TEC控制模块组
研究了不同调制速率下的增益开关半导体激光器的最佳工作状态。理论分析表明,在不同的调制速率下,激光器的最佳工作状态有较大的差异。在低速调制下,激光器应该工作在较小的直流偏置下,以避免输出脉冲拖尾的产生。
本文从理论上分析了外腔半导体激光器的线宽压窄原理,用延时自外差法对外腔半导体激光器的线宽特性进行了测量研究,得到了线宽反比于激光器输出功率及外腔反馈率的实验结果.
报道了一种采用大光学腔结构的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱高功率半导体激光器。在量子阱能级本征值方程的数值求解基础上,优化了InGaAs阱层材料的In组份含量;采用大光学腔结构以有效降
苏修列别捷夫研究所报导了一种使用外反射镜的薄膜半导体激光器。他们为了观察激活区域的直径、阈值水平和功率之间的关系,研究过一种由以电子束来泵浦的GaAs和外共振器组成的装置。据报导,激活区的直径为0.2
针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区。采用非对称宽波导结构的半导体激光器,该激光器在实现大光腔结构的同时保持阈值电流密度不增加。通过金属有机物化学气