CdS超微粒的化学合成及其表面修饰的研究进展,李启厚,吴希桃,CdS超微粒具有特殊而优良的光学性能和电学性能,是一种十分重要的直接带-隙发光半导体材料,具有十分重要的应用价值。但其稳定性�
L-半胱氨酸修饰CdSe-CdS型量子点的制备及其荧光猝灭法测定超痕量铜,张耀海,张华山,目前量子点(半导体纳米晶体)研究及应用涉及物理、化学、材料、生物等多种学科,成为热点。我们对现有的合成CdSe
电化学法制备CdSe_xTe_y薄膜及其光电性能
当前,新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应,SiC器件的一系列特性,如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能,使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充
碳化硅陶瓷基复合材料(CMC-SiC)具有密度低、强度高、耐高温、抗腐蚀等优点,在航空航天领域具有广泛的应用潜力。但是CMC-SiC属于具有超高硬度且各向异性的难加工材料,常规加工技术难以胜任这种新型
用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示:在温度较低的情况下,晶体表面离散的分布着数量众多的晶
为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能, 将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比, 使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值, 得到S
金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线,王艳周,岳红伟,本文采用金属辅助化学刻蚀法(HF/AgNO3溶液),在单晶硅表面制备了硅纳米线阵列,深入探讨了金属辅助化学刻蚀的机理并研究了单晶硅表
太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中,采用氨水为主络合剂,水合肼为辅助络合剂,通过添加少量的分散剂丙三醇,调节沉淀团簇的大小,改善ZnS薄膜质量。薄膜结构和表
形貌可控的钯纳米材料制备及其电化学性能研究,罗京京,于丹,本文以病毒多角体蛋白为模板,成功制备出了形貌规则,分散度高的钯纳米材料。通过调控合成过程中的pH值和模版与前驱物的比例,可�