化学浴沉积法制备ZnS薄膜 (2006年)

水基电沉积CuInSe2薄膜制备中络合剂对组元沉积电位的影响，李成杰，靳正国，本文给出了一种水基电沉积CuInSe2薄膜过程当中沉积电位变化的研究方法。通过向氯化铜(CuCl2•2H2O)，氯化铟，(

采用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD），使用制备的乙酸锌二水合物（Zn（CH3COO）2⋅2H2O）的混合物将氧化锌（ZnO）和铝掺杂的ZnO（AZO）薄膜沉积在钠钙玻璃上。 ZAD）和乙酰丙酮铝

为了提高在感兴趣的波长范围内的量子效率,特殊的梯度带隙开发了应用于AlGaAs / GaAs光电阴极的结构,其中成分等级AlxGa1-xAs层中的掺杂与GaAs层中的掺杂等级相关。 实验性结果表明,这

诱导磁场对化学沉积Co-Ni-P薄膜磁性能的影响，王海成，龚占双，采用化学湿法沉积技术制备了CoNiP磁性薄膜，研究了施镀过程中的诱导磁场对CoNiP薄膜磁性能和结构的影响。研究结果表明，随着施加诱�

低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn(C2H5)2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂

以Al2O3为衬底,采用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了分析.研究表

ZnS/TiO2纳米管的模板法制备及其光催化性能研究，陈洁，赵伟玲，以钛酸纳米管为模板，采用含有氯化镉和硫脲的钛溶胶对其进行浸渍处理，再经焙烧制得不同ZnS含量的一维ZnS/TiO2纳米管。运用X-射

采用电极火花放电法和溶胶-凝胶法制备了直径均为206 μm的SiO2微球腔和TiO2-SiO2混合微球腔,测得它们在1550 nm处的品质因子分别为2.15×107和1.36×106。宽带谐振透射谱显

通过溶胶凝胶技术制备了掺杂Ce3+离子的纳米SiO2材料,并经较低温度下煅烧,研究其光致发光(PL)性能。X射线衍射(XRD)及透射电子显微镜(TEM)测试结果表明该纳米材料具有非晶态结构,颗粒尺寸为

以锆酸丙酯[Zr(OPr)4]、正硅酸乙酯(TEOS)为原料, 用溶胶-凝胶(sol-gel)提拉法涂膜, 制备高透过的λ/ 4~λ/ 4型ZrO2/SiO2双层减反膜。该减反膜的表面均匀, 均方根(