诱导磁场对化学沉积Co Ni P薄膜磁性能的影响

热迁移对Ni/Sn/Ni钎焊界面反应的影响，赵宁，邓建峰，本文主要研究了Ni/Sn/Ni在热台钎焊条件下的热迁移行为及其对界面反应的影响。结果表明，Ni/Sn/Ni焊点中只形成一种界面金属间化合物(I

CuFe2O4外延薄膜结构及磁性能与沉积气压的关系，张如意，刘文龙，利用射频磁控溅射方法分别在5 Pa，10 Pa，20 Pa和50 Pa Ar/O2（1:1）气体氛围下以MgAl2O4（001）单晶

薄厚对GZO透明导电薄膜结构和光电性能的影响，张传瑜，王绪本，本文主要是采用射频磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积掺镓氧化锌(GZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计、Hal

为改善大豆蛋白/聚乙烯醇(SPI/PVA)共混薄膜的加工性能和力学性能,把尿素/三乙醇胺复配增塑剂,与大豆蛋白(SPI)/聚乙烯醇(PVA)经溶液共混成膜,采用差示扫描量热仪、热失重分析仪、紫外光谱仪

制备温度对BiFeO3薄膜结构及性能的影响 ，孙翔宇，帅垚，阻变存储器是一类新型非易失性存储器，具有功耗低、读写快、保持特性好、可小型化等特点。本文主要研究了采用脉冲激光沉积（PLD）

室温下溅射功率对射频溅射ZnO薄膜性能的影响

用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2 )=9:1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用

摘要:衬底温度在反应溅射制备ZnO:Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金(Al的含量为2%)靶,在衬底温度170°C,工作压力2.5mTo

有关高质量氮化镓（GaN）制造的大多数报道通常基于需要非常昂贵设备的物理技术。 因此，采用电沉积方法并对其进行了研究，以开发一种简单而经济的GaN合成方法。 GaN薄膜是在铝基板上合成的，该铝基板使用

化学热磨机械浆中DCS对二次胶粘物稳定性和沉积性能的影响，李宗全，詹怀宇，以压敏胶（Pressure-sensitive adhesives ，PSAs) 作为在废纸回用过程中形成的二次胶粘物的模型物