有关高质量氮化镓（GaN）制造的大多数报道通常基于需要非常昂贵设备的物理技术。 因此，采用电沉积方法并对其进行了研究，以开发一种简单而经济的GaN合成方法。 GaN薄膜是在铝基板上合成的，该铝基板使用低成本和低温电化学沉积技术在各种温度下进行了热处理。 通过循环伏安法（CV）检查水溶液中源离子的电化学行为。 在pH值为1.5的溶液中，该溶液含有0.1M Ga（NO3）3、2.5M NH4NO3和0.6M H3BO3，在CV中观察到镓和硝酸根离子的还原。 对于在-3.5mA·cm 2 -3下沉积在Al衬底上的膜检测3小时，检测到六方GaN和氧化镓（Ga 2 O 3）相的存在。 能量色散X射线和映