退火温度对ITO玻璃上沉积的Mg“ 0”。“ 2Zn” 0“。” 8O薄膜的电阻开关行为的影响

beyond16548 1 0 PDF 2021-04-20 10:04:47

采用Sol-Gel法在ITO玻璃基板上制备了Mg0.2Zn0.8O薄膜用于电阻随机存取存储器,研究了退火温度对电阻开关行为的影响。 随着退火温度的升高,Mg0.2Zn0.8O薄膜的结晶度可以得到改善,其导通电压,截止电压,低电阻态的电阻以及高电阻态与低电阻态的电阻比呈现出Mg0.2ZnO0.8O;增大,但开关循环的耐久力下降,高阻态电阻降低。 保持切换; 退火温度溶胶凝胶

退火温度对ITO玻璃上沉积的Mg“ 0”。“ 2Zn” 0“。” 8O薄膜的电阻开关行为的影响

用户评论
请输入评论内容
评分:
暂无评论