采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb3+摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi2-xSbxTi2O7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb3+含量对Bi2Ti2O7薄膜在结构、表面形貌、电容和漏电流等方面的影响.研究结果表明:Sb3+的掺杂在没有改变Bi2Ti2O7薄膜焦绿石结构的基础上提高了薄膜的稳定性;Sb3+的掺杂提高了薄膜的电容值,尤其是当Sb3+摩尔含量为0.3时,电容峰值达到3.8×10-9F;同时,Sb3+的掺杂显著改善了薄膜的漏电流性能,使薄膜的漏电流密