掺杂氧的Ge Sb Te相变薄膜的光学性质

采用高频溅射方法制成Te-In-Sb系统的非晶态薄膜.系统的研究了不同组分薄膜的透射、反射谱,及其在结晶过程中的变化.用透射电镜研究了Te-In-Sb薄膜的结构和晶化过程.分析了组分对薄膜的吸收系数、

采用射频溅射法制备了Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,对沉积态薄膜在300°C时进行了热处理,测量了不同厚度薄膜的反射、吸收谱及光学常数.研究了薄膜的光学常数与薄膜厚度的关系,结果表明在一定的厚

研究了氧掺杂Ge-Sb-Te磁控溅射相变薄膜在400~800 nm区域的光学常数(n,k),发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线

掺杂GaSb薄膜的光学性质，刘雪，王登魁，采用分子束外延技术在GaAs衬底上异质外延N型Te-GaSb薄膜，用低温光致发光谱分析掺杂对GaSb薄膜发光的影响。对于N型Te-GaSb，Te原子会占据S

利用磁控溅射法在K9玻璃基底上制备了SiN/Sb80Bi20/SiN相变薄膜结构,并利用连续He-Ne激光共焦Z-扫描技术同时测量了在激光作用下透射和反射非线性光学响应。实验结果表明,相变膜在激光焦点

本文报道了用分光光度仪对In-Sb膜薄的光学性质进行测量的结果,并采用较严格的双层膜透射公式进行处理.获得了折射率n、消光系数k的数据,并由此计算出吸收系数α和波长λ的关系及光学能隙和介电常数虚部2n

Sb掺杂ZnO薄膜电学、光学性能的研究，丁萍，潘新花，采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积（PLD）法，在n-Si(001)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜，其电阻率为44.18Ωcm，空穴浓度

本文系统地研究了热致相变对射频磁控溅射的GaSb薄膜光学性质和微观结构的影响.发现在270°C左右具有连续无序网络结构的非晶GaSb薄膜发生相变,转变为具有立方晶系的多晶薄膜,其晶格常数为α0=0.6

氮钝化对Te掺杂GaSb材料光学性质影响的研究，容天宇，房丹，锑化镓（GaSb）是实现高性能中红外波段激光器的重要材料。然而GaSb材料表面的化学性质活泼，具有较高的表面态密度，导致费米能级钉�

利用直流磁控溅射法将SiSb薄膜沉积到聚碳酸酯光盘盘基上,利用相变光盘初始化仪分别在400,500,600,700,800和1200 mW的激光功率下将光盘初始化。比较了在不同激光功率下SiSb薄膜在