氧杂质及热处理过程对Ge Sb Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响

采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200 °C,300 °C,400°C和500 °C。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测

我们研究了在重掺杂Al的ZnO(AZO)薄膜在生长过程中的光学性能和电子结构的变化,这些薄膜的形成是通过首先在富含O-2-的气氛中创建Zn空位,然后在其中填充Zn原子来形成的。锌蒸气气氛。 第一步之后

含能配合物[Cu(TZA)(DNBA)]n的合成、晶体结构及对RDX热分解行为的影响，葛婧，宋霞霞，选择四氮唑乙酸和3,5-二硝基苯甲酸为配体，与硝酸铜作用，通过溶液法合成了未见文献报道的含能配合物[

Si层厚度和退火处理对Co/Si薄膜结构和磁性的影响，王亚磊，李洁，采用磁控溅射方法在室温下在玻璃基片上沉积了系列Co/Si薄膜，并对其进行后期真空退火处理，研究了Si层厚度和后期退火对薄膜结构和�

晶界对氮极性InN薄膜输运性质的影响，张跃伟，王新强，我们研究了不同晶格极性的n型InN薄膜的输运性质，发现在氮极性InN薄膜中的晶界两侧会形成势垒，阻挡了部分载流子的漂移运动，导致�

人类17β-羟基类固醇脱氢酶1（17β-HSD1）催化卵巢和周围组织中最有效的天然雌激素17β-雌二醇（E2）从雌酮（E1）的生物合成，在雌激素依赖性的进展中起关键作用疾病。 Nn-丁基-N-甲基-I

利用分子动力学模拟晶体结构的XRD衍射图谱，可以模拟在不同环境下进行结构预测。

在该实验中，通过溶液燃烧法合成了纯的，Y3 +掺杂的ZnO和Cu2 ++ Y3 +共掺杂的ZnO。 Y 3+掺杂剂浓度固定为3％wt。 Cu 2+的掺杂浓度为0、1、2、3、10和20％wt。 XRD

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