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为了更好地了解影响透射式指数掺杂 Alx Ga1-x As/GaAs 光电阴极性能的因素,利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能函数,以及考虑窗口层光电子贡献作用的透射式指数掺杂 Alx Ga1-x As
一系列镧和氧化银共掺杂的硼锌锌玻璃，化学式为[{[（TeO2）0.7（B2O3）0.3] 0.7（ZnO）0.3} 0.96（La2O3）0.04] 1-x（Ag2O）x其中通过常规的熔融淬火技术成功
硅薄膜的制备及光学性能研究，马胜利，王利，本文采用磁控溅射技术，通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜，并研究了薄膜的光学性能。结果发现，随着溅射功率的提高，硅薄膜
提出了一种计算光学介质膜系表面总积分散射(TIS)的理论模型。该模型认为,介质膜系粗糙的膜层界面和表面为微观结构不均匀的微薄过渡区;过渡区可用折射率为不同常量的层数足够多的均匀子层来代替,同时这些均匀
劳伦斯·利弗莫尔国家实验室用复制的环氧树脂薄膜能使“Nova”激光系统最后的聚焦光学元件不受向心爆炸核聚变靶新喷射出来的碎片的影响。利弗莫尔物理学家沃顿森(R. Wirterson)说,这种厚度为0.
介绍了液晶显示器(LCD)投影、数字光处理(DLP)投影和硅基液晶(LCOS)投影的显示原理及光学薄膜元件在投影中的应用情况,对隔红外紫外滤光片、二向色镜、减反射膜及偏振分束镜的光学性能作了详细分析。
采用射频磁控溅射法,以铌靶和硅靶为靶材,在玻璃基片上沉积了NbSiN薄膜。研究了硅靶、铌靶功率、氮气流量以及溅射时间对薄膜光学性能的影响,得出实验室条件下的最佳制备工艺参数。测试结果表明,最佳工艺参数
PbTe/CdTe 量子阱是一类新型异系低维结构材料,实验观察到具有强的室温中红外光致发光现象。建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子阱的自发辐射率和光学增益。模型中量子阱分立能级的计算采用 k
垂直堆跺InAs量子点是用分子束外延(MBE),通过Stranski-Krastanov(S-K)方式生长.利用光致发光(PL)实验对InAs量子点进行了表征.在生长过程中使用对形状尺寸控制的方式来提
基于三维时域有限差分法,计算了非球对称单芯帽纳米颗粒在不同结构参数作用下的局域表面等离子体共振(LSPR)响应。采用模板法和真空蒸镀技术制备了SiO2@Au芯帽结构纳米颗粒,通过透射电子显微镜和紫外可
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