硅气凝胶的制备改性及其CO2吸附性能研究 ,王笠力,程琰,本研究考察了改变老化溶液对硅气凝胶孔隙结构的影响,制备了具有中孔结构的硅气凝胶材料。根据表征结果,选取具有大孔容孔径的样
通过化学浴沉积(CBD)Craft.io,通过无机前体硫酸锌,硫代硫酸氨和La(2)O(3)的共沉淀React,制备了未掺杂和La掺杂的ZnS薄膜。 使用能量色散X射线光谱法(EDS)分析膜的组成。
本文通过对Cr_Al_2O_3与Tm晶体的光学性能进行分析,提出了一种新的制备工艺方案。首先介绍了晶体的结构和性质,然后详细阐述了制备工艺的步骤及其优化方案。最后,对制备的Cr_Al_2O_3与Tm晶
CdSe量子点的合成及光学性能的研究,师忠根,温运明,以NaHSe,CdCl2为前驱体在水相中原位制备了CdSe半导体量子点,并通过XRD、UV-vis、PL、TEM、IR等对产物的形貌及光学性能等进
SrF2和稀土掺杂SrF2薄膜的电沉积制备及发光性能研究,王辉,陈科立,利用电化学沉积法制备了SrF2和稀土元素掺杂SrF2薄膜,并利用XRD、FE-SEM、PL等对其物相、形貌和光学性能进行了表征。
Bi4Ti3O12(BIT)和Bi3.25Nd0.75Ti3O12(BNT)薄膜使用脉冲激光沉积技术沉积在Pt / Ti / SiO2 / Si(100)衬底上。 通过原子力显微镜(AFM)和压电力显
PZT压电陶瓷制备工艺及性能研究,一些最基本的研究方法
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硅烷浓度对VHF-PECVD制备过渡区微晶硅薄膜特性的影响,汪文明,杨恢东,采用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列非晶/微晶过渡区薄膜材料,并测试分析了
热丝CVD低温下快速制备碳化硅基硅纳米晶薄膜的研究,蒋继文,刘艳红, 采用热丝化学气相沉积(HWCVD--Hot Wire Chemical Vapor Deposition)技术在低温下制备碳化硅基
