硅薄膜的制备及光学性能研究

我们报告了在甲苯中通过脉冲激光烧蚀合成Si纳米微晶,然后制备了具有PMMA的复合膜及其发光研究。 透射电子显微镜图像显示,硅纳米晶体的尺寸从约4 nm到小于1 nm不等。 根据量子限制效应,当激发波长

本文通过对Cr_Al_2O_3与Tm晶体的光学性能进行分析，提出了一种新的制备工艺方案。首先介绍了晶体的结构和性质，然后详细阐述了制备工艺的步骤及其优化方案。最后，对制备的Cr_Al_2O_3与Tm晶

通过化学浴沉积(CBD)Craft.io,通过无机前体硫酸锌,硫代硫酸氨和La(2)O(3)的共沉淀React,制备了未掺杂和La掺杂的ZnS薄膜。 使用能量色散X射线光谱法(EDS)分析膜的组成。

SrF2和稀土掺杂SrF2薄膜的电沉积制备及发光性能研究，王辉，陈科立，利用电化学沉积法制备了SrF2和稀土元素掺杂SrF2薄膜，并利用XRD、FE-SEM、PL等对其物相、形貌和光学性能进行了表征。

PZT压电陶瓷制备工艺及性能研究,一些最基本的研究方法

旋转涂覆法（SOD）制备硅基多孔低k薄膜材料的研究进展，殷桂琴，宁兆元，近年来,低介电常数材料在IC工业中日益受到人们广泛关注。为了降低信号传输延迟、串扰以及由于介电损失而导致的功耗增加，要求采�

硅烷浓度对VHF-PECVD制备过渡区微晶硅薄膜特性的影响，汪文明，杨恢东，采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，通过调节硅烷浓度，获得了系列非晶/微晶过渡区薄膜材料，并测试分析了

热丝CVD低温下快速制备碳化硅基硅纳米晶薄膜的研究，蒋继文，刘艳红， 采用热丝化学气相沉积（HWCVD--Hot Wire Chemical Vapor Deposition）技术在低温下制备碳化硅基

氨基硅烷－稀土自组装复合薄膜的制备及其摩擦学性能的研究，顾勤林，程先华，在单晶硅基体上用自组装的方法制备了稀土复合薄膜，利用原子力显微镜（AFM）对制备的薄膜进行了表征；在UMT-2MT摩擦试验机对制

CdSe量子点的合成及光学性能的研究，师忠根，温运明，以NaHSe,CdCl2为前驱体在水相中原位制备了CdSe半导体量子点，并通过XRD、UV-vis、PL、TEM、IR等对产物的形貌及光学性能等进