热丝CVD低温下快速制备碳化硅基硅纳米晶薄膜的研究

光学薄膜的光学特性是薄膜设计与制备的基础。硅材料是红外光学薄膜中一种重要的高折射率材料。研究了在不同沉积温度下非晶硅光学薄膜的折射率和消光系数的变化。结果表明,在200 °C时,硅薄膜折射率最大,消光

RF-PCVD法碳化钨纳米粉的制备，闫波，孙彦平，本文以WCl6+H2+C2H2为反应体系，采用高频等离子化学气相沉积法（RF-PCVD）制备了纳米级碳化钨（WC）粉体。文中采用HRTEM（高分辨率透

纳米多孔防反射薄膜的制备及其性能研究，孙志娟，罗英武，采用可逆加成断链链转移（RAFT）界面细乳液聚合法制备壳层高度交联的纳米聚合物胶囊，将此胶囊通过旋涂、真空高温干燥，制备得到�

采用磁控溅射工艺制备了TiN薄膜,借助X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和纳米压痕仪(nano-indentation)等,研究了薄膜的相结构、表面微观

泡沫铝是一种轻质材料，具有良好的机械和能量吸收性能。 在这项研究中，使用铝粉6061和碳化硅（SiC）粉制造泡沫铝复合材料。 氢化钛（TiH2）被用作发泡剂。 使用冷压块然后热压（烧结）来生产复合材料

国产首款1700V SiC MOSFET碳化硅功率器件，具有750毫欧的内阻和20毫欧的导通电阻Rds（on），适用于高压电源应用。该器件在工业电机驱动、光伏、直流充电桩、储能变换器和UPS等三相功率

《屏蔽泵用成套碳化硅轴承的设计及应用》 介绍了屏蔽泵用成套S-SiC无压烧结碳化硅轴承的设计及其应用。列出了各类碳化硅陶瓷材料的物理机械性能指标和耐化学性能的参考数据,并着重对产品的优化设计和选材作了

摘要 由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)的碳化硅金属氧化物半导体场效电

碳化硅衬底作为第三代半导体材料氮化镓和碳化硅器件应用的基础，在新能源和5G领域扮演着至关重要的角色。碳化硅材料具备宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等优异特性，使其成为高频、高温、高

为了获得应用于AlGaAs 激光器上的优异的氮化硅薄膜,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)低温条件下在GaAs 衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜,利用光学膜厚仪、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变