碳化硅衬底作为第三代半导体材料氮化镓和碳化硅器件应用的基础，在新能源和5G领域扮演着至关重要的角色。碳化硅材料具备宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等优异特性，使其成为高频、高温、高压、高功率以及耐辐射环境下工作的理想选择。

SiC功率器件凭借其优越性能，在电动汽车领域展现出巨大替代潜力。 SiC器件能够有效缩小电驱、电控等系统的体积，提升功率密度，实现更紧凑的设计，并延长电动车续航里程。

然而，SiC衬底的供应成为制约SiC应用的关键因素。SiC衬底成本占SiC器件总成本的比例高达47%，成为SiC器件成本高昂的主要原因。

当前，全球SiC衬底和器件厂商对SiC市场前景持乐观态度，纷纷加大投资力度，预示着SiC行业即将迎来快速发展期。同时，2020年全球新能源汽车销量逆势增长，进一步表明SiC下游市场需求即将爆发。

考虑到SiC技术在新能源和5G领域的巨大应用潜力，建议关注那些提前布局SiC技术、具备相关经验积累和产能储备的优质企业。