论文研究硅烷浓度对VHFPECVD制备过渡区微晶硅薄膜特性的影响 .pdf

生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力.通过对样品光致发光光谱研究表明:分段退火样

在不同激光重复频率下用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si (111)衬底上生长了ZnO薄膜, 以325 nm He-Cd激光器为激发源获得了薄膜的荧光光谱以研究其发光特性, 用X射线衍射仪(XRD)和原

高聚物添加剂的浓度对湍流核心区的影响，郗恒东，EberhardBodenschatz，本文实验研究了高聚物添加剂对湍流核心区（远离边界层的区域）的影响。实验结果显示当在流体中加入高聚物后，流体的加速度

以浓度为0.034g/m L的模板剂F108（聚乙二醇-聚丙二醇-聚乙二醇）和各物质的摩尔比为SiO2:Al2O3:Na2O:H2O=1:0.09:1.02:6.68（硅源以SiO2计,铝源以Al2O

沉积气压对非晶碳薄膜结构和性能的影响,王成兵,,采用直流-脉冲等离子体化学气相沉积技术,以甲烷和氢气为前驱气源,制备了氢化非晶碳薄膜(a-C:H)。考察了沉积气压(6, 8, 11, 15, 20 P

改进过渡区提取算法，将最小交叉熵应用于红外图像过渡区提取中，提出基于交叉熵的图像过渡区算法，并将该过渡区分割法应用于红外图像感兴趣区域的自动提取，最后提出了一种基于JPEG2000框架红外图像感兴趣区

硅烷分子自组装膜对有机薄膜晶体管中介电层的修饰作用，李哲峰，，本文主要介绍一种有机薄膜晶体管的制备及其性能，利用十六烷基三氯硅烷作为自组装膜分子来修饰SiO2介电层，然后真空蒸镀有机分子DH

采用五水合氯化锡配制前驱体溶液,通过旋涂法在玻璃基底上制备了一种可见光平均透射率在90%以上的氧化锡透明薄膜。研究发现,对玻璃基底进行等离子预处理有助于改善氧化锡薄膜的表面质量。当等离子处理功率为25

本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比

通过光学显微镜(OM),扫描电镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察了光记录有机薄膜的微区结构。从微区结构的形貌可以看出光记录后酞菁薄膜上产生了鼓泡。通过这些观察方法的比较发现扫描隧道显微镜可以提