(华中科技大学材料科学与工程学院, 武汉 430074)摘 要:采用正交设计法,对溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的工艺参数进行了优化研究,确定了最佳工艺参数,为制备AZO薄膜的工业化控制提供了一种可行的
HWCVD法制备非晶和纳米晶WOx薄膜,李忠岳,王春霞,氧化钨(WOx)作为重要的过渡金属氧化物之一,在许多领域具有广泛的应用,目前已发展出了多种氧化钨的制备工艺。本文利用热丝化学
粉末溅射法制备薄膜充电电池材料,王定友,任岳,经过长时间的研究和探索,在薄膜制作方法上我们研究开发了粉末磁控溅射镀膜法。利用这种方法,我们对全固体薄膜充电电池的多种负
用直流磁控溅射法在190 °C玻璃基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下ITO薄膜在波长250 nm光源的激发下,分别在467 nm和7
化学浴沉积ZnSe薄膜及其光学特性研究,陈良艳,张道礼,ZnSe作为重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体,在蓝绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。化学�
退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性质的影响,孙冬晓,李金华,采用原子层沉积法(ALD)在石英衬底上制备ZnMgO薄膜,并对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射
为了研究Co掺杂及掺杂浓度变化对ZnO薄膜结构及光学性能的影响,本文采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了不同Co掺杂浓度的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪、二维傅
电化学一步法制备CZTS薄膜及光电性质的研究,孙程程,宋士惠,本文采用电化学一步法在厚度为1.1mm、电阻率为15Ω的ITO玻璃上制备铜锌锡硫CZTS薄膜。运用普林斯顿应用生产263-a 型电化学工作
高密度储能电容器是当前研究的热点,为探究氧化铝薄膜在高密度电容器中潜在的应用,采用直流磁控溅射方法制备了氧化铝薄膜,薄膜质地均匀致密,表面平整光滑。X射线衍射谱分析表明制备的薄膜属于γ晶型的氧化铝。薄
用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325 nm He-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形