采用常压金属有机物化学气相沉积技术(APMOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在cAl2O3衬底上生长出了Z
利用射频磁控溅射结合水热生长两步法制备了均匀致密分布的ZnO纳米晶薄膜,并利用碳纳米管阵列场发射阴极测试了其场电子激励下的发光特性。结果表明,在电子束流激励下,ZnO纳米晶薄膜的光谱具有两个发射峰,其
脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射制备纯钛薄膜影响的研究,景凤娟,尹太磊,高功率辉光放电的表面改性方法是一项很有希望应用在工业上的物理气相沉积技术。高功率辉光放电峰值能量和金属离子的密度较高。本
非极性ZnMgO薄膜生长及ZnMgO/ZnO多量子阱制备,李洋,蒋杰,采用PLD方法在r面蓝宝石上制备了不同Mg含量的ZnMgO合金薄膜。当掺入Mg含量10%时能得到较好质量的薄膜。在ZnMgO合金薄
Zn源流量对MOCVD方法生长氧化镓薄膜特性的影响,徐梦想,夏晓川,本文利用金属有机物化学气相沉积方法,以三乙基镓为镓源,二乙基锌作为掺杂锌源,高纯氧气作为氧源,高纯氩气作为载气,在锌源流��
低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn(C2H5)2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂
研究了恒温陈化时间、搅拌时间对在高碱度条件下,以液相-恒温陈化法制备ZnO晶须的影响。结果表明,恒温陈化5 h,搅拌时间为1.5～2 h条件下,制备得到尺寸均一、结构规整、晶须产率都较高的ZnO晶须。
飞秒脉冲激光入射光学薄膜形成瞬态光场分布是一个非稳态过程,该过程不同于纳秒脉冲或连续波入射的情形,不能直接采用求解薄膜特征矩阵的方法进行处理。采用多光束叠加的方法建立了超短脉冲入射单层膜的反射率和内部
采用五水合氯化锡配制前驱体溶液,通过旋涂法在玻璃基底上制备了一种可见光平均透射率在90%以上的氧化锡透明薄膜。研究发现,对玻璃基底进行等离子预处理有助于改善氧化锡薄膜的表面质量。当等离子处理功率为25
研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近,在它们的光
