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在常压条件下,以铜箔为基底、CH4为碳源,通过化学气相沉积法(CVD)生长出了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱、扫描电子显微镜、四探针电导率仪表征分析了产物。结果表明:生长温度为1 000℃,H2流量为60m
基于母语分别为傣语、傈僳语、纳西语和汉语普通话的发音人所发汉语普通话语句，利用支持向量机进行民族口音识别研究。实验结果表明，采用对每个语句提取12维MFCC参数、9维基频派生参数和9维短时平均能量派生
ZAO薄膜的制备采用溶胶–凝胶法制备Al–Sc 共掺杂ZnO 透明导电薄膜,考察了结晶性、晶界状态、紫外–可见光透射光谱及Hall 效应,并讨论其掺杂机制
基于金属化楔形光纤实现与紧凑型InP基多量子阱，刘旭，王波，InP基多量子阱（MQW）型平面光波光路（PLC）芯片有利于集成其他各种无源和有源器件,但光纤与芯片的耦合是一个重要的技术难题。本文��
基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关
自组织刻面GaN岛上的InGaN / GaN量子阱:生长和发光研究
通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降低了材料中的氧杂质含量,
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非掺杂GaAs / AlGaAs量子点器件的制备与表征
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