N3-掺杂对SiO2:Ce纳米材料发光性能的影响,徐光青,郑治祥,分别采用化学掺杂和气氛控制方法对溶胶-凝胶法制备的SiO2:Ce纳米发光材料进行阴离子(N)掺杂,并采用透射电镜(TEM)、X射线光电
为研究主体材料对绿色有机发光二极管性能的影响,选择能级匹配的电子传输材料1,3,5-三(6-(3-(吡啶-3-基)苯基)吡啶-2-基)苯(Tm3PyP26PyB)作主体材料制备了单发光层(EML)器件
Cd掺杂对Cu2SnS3薄膜结构和性能的影响,姜雨虹,姚斌,本文通过溶液法合成了Cd在Cu2SnS3(CTS)中掺杂的Cu-Sn-S-Cd(CTSC)薄膜,并研究了不同Cd含量对CTSC薄膜晶体结构和
CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响,霍晓旭,莫晓亮,利用射频磁控溅射方法,以SnO2:F(FTO)为基底制备CdTe薄膜。然后对制备的CdTe薄膜进行湿法CdCl2热处理,退火温度在
用脉冲直流磁控溅射方法在硅片衬底上制备了厚度相同的单层钼薄膜,结合台阶仪、X射线衍射仪、场发射扫描电镜、原子力学显微镜和紫外-可见分光光度计分别研究了不同沉积速率对钼薄膜微结构、表面形貌和光学性能的影
通过溶胶凝胶法和旋涂法成功制备了多种金属离子掺杂的介孔TiO2薄膜材料。小角X射线衍射谱和TEM测试结果表明Zn2+,Fe3+,Y3+掺杂的TiO2薄膜均具有较有序的介孔结构;掺入Zn2+,Fe3+的
通过化学溶液沉积在LaNiO3 / Si(100)衬底上制备Bi2VO5.5铁电薄膜。 研究了在500-700摄氏度下退火的薄膜的铁电和介电性能。 与在较低温度下退火的薄膜相比,在700摄氏度下退火的
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基板上合成了钴掺杂的氧化锌薄膜。 通过XRD,FTIR,SEM,二维傅立叶变换和UV-VIS的分析表明,当钴掺杂浓度小于2at%时,薄膜具有较好的c轴取向。在可见光区域,结构
Gd掺杂对溅射沉积WO3薄膜电致变色性能的影响。
Zn2+掺杂对Ag-SiO2薄膜抗菌性能的影响,李全华,程金树,采用sol-gel法,以正硅酸乙酯作为反应的前驱体,硝酸银为抗菌活性成分,硝酸锌作为Zn2+掺杂试剂,通过浸渍提拉法在普通的玻璃基片上�