采用射频磁控溅射法制备氧化钒(VOx)薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜结构、光学及力学性能的影响。利用表面轮廓仪、X 射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计、椭偏仪及纳米压痕仪分析在不同溅射功率下制备的氧
利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜, 并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明, 当退火温度为40
采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过量10%的两种靶材,并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,P
通过修正的Landau-Devonshire热力学模型构建了PbZr0.4Ti0.6O3/SrTiO3异质结的电滞回线方程, 得到了剩余极化强度Pr、矫顽电场Ec和有效储能密度Wrec的关于PbZr0
溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响,任雪勇,谢泉,采用射频磁控溅射技术在Si(100)衬底上沉积了Si-Ca-Si薄膜,并在高真空条件下对样品进行退火处理,直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不
采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500 °C快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20 °C~80 °C温
聚3-甲基噻吩与聚苯胺多色电致变色器件的性能研究,张航川,曲慧颖,本研究旨在于通过研究两种结构相对简单(循环性能较稳定)但又颜色变化丰富的导电聚合物聚3-甲基噻吩(PMET)和聚苯胺(PANI)的电致
本文利用热致变色的颜料(加热时会改变颜色)和钢质导线(短路时用于加热颜料),制作出“电”致变色电路。
邹建和(深爱半导体有限公司,广东 深圳 518000)摘要:介绍了半导体晶片制造设备溅射机和溅射工艺对晶片碎片的影响,给出了如何减少晶片应力以达到少碎片的目的。关键词:溅射:辉光放电:溅射沉积功率中图
界面错配对Al掺杂ZnO薄膜形貌和电学性能的影响,许爱燕,羌建兵,本工作采用射频磁控溅射方法在(100)、(110)和(111)Si基底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究Si基底取向对AZO薄膜