邹建和(深爱半导体有限公司,广东 深圳 518000)摘要:介绍了半导体晶片制造设备溅射机和溅射工艺对晶片碎片的影响,给出了如何减少晶片应力以达到少碎片的目的。关键词:溅射:辉光放电:溅射沉积功率中图分类号:TN305.92 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2004)04-0019-021 引言在半导体晶片制造过程中,一个重要的工序环节就是金属薄膜沉积,该工艺是作为电路引线用。沉积金属薄膜最常用的方法是蒸发和溅射。然而随着集成电路向线结和图形微细化的方向发展,加上对接触和互连的要求也越来越严,特别是铝硅互溶引起的结穿通和电迁移现象变得更加严重,接触和互连材料就有必要采用铝的合金以