CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响,霍晓旭,莫晓亮,利用射频磁控溅射方法,以SnO2:F(FTO)为基底制备CdTe薄膜。然后对制备的CdTe薄膜进行湿法CdCl2热处理,退火温度在340℃至420℃的范围内,�