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W-S-C(N)薄膜结构及摩擦学性能研究进展,朱炼,尹亮,摩擦磨损是导致机械零部件失效的一个重要原因,固体润滑剂因其在恶劣环境下仍具有良好的减摩耐磨效果受到广大学者的关注。WS2固体
利用真空热蒸镀的方法制备了非晶Se薄膜,测试了稳定的非晶Se薄膜、不稳定的非晶Se薄膜和初始自发晶化的非晶Se薄膜的透射率光谱和拉曼光谱。对透射率光谱曲线进行了拟合,计算了薄膜的厚度和折射率随波长的变
退火温度对Aurivillius Bi5Ti3FeO15多晶膜结构,铁电和磁性能的影响
水基电沉积CuInSe2薄膜制备中络合剂对组元沉积电位的影响，李成杰，靳正国，本文给出了一种水基电沉积CuInSe2薄膜过程当中沉积电位变化的研究方法。通过向氯化铜(CuCl2•2H2O)，氯化铟，(
电沉积ZnSe薄膜的合成及性能表征，于兴芝，张成光，首先，从理论上分析了硫酸锌和亚硒酸钠在简单酸性溶液中进行电化学共沉积制备ZnSe薄膜的可行性；然后，在硫酸锌和亚硒酸钠的酸性�
采用对靶磁控反应溅射技术以N2和H2为反应气体在硅(100)和石英衬底上制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN:H)薄膜.利用台阶仪、原子力显微镜、紫外-可见(UV-VIS)光吸收和傅里叶红外透射光谱(FT
掺氮对溅射沉积a-GaAs1-xNx薄膜载流子浓度的影响
在脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜的实验中,保持其他实验参数不变,衬底温度分别取30,200,400和600 °C来沉积类金刚石薄膜。用拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪对不同衬底温度下沉积的类金刚石薄膜的
GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。因此，如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。
源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响，毛飞燕，邓宏，利用化学气相沉积(CVD)法，以Zn4(OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源，NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜，研究了样
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