源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响

源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响，毛飞燕，邓宏，利用化学气相沉积(CVD)法，以Zn4(OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源，NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜，研究了样品的结构、光学、电学