衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响

采用Sol-Gel法在ITO玻璃基板上制备了Mg0.2Zn0.8O薄膜用于电阻随机存取存储器,研究了退火温度对电阻开关行为的影响。 随着退火温度的升高,Mg0.2Zn0.8O薄膜的结晶度可以得到改善,

在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层,经X射线衍射(XRD)测量,得到了单一取向的ZnO(0002)膜.在此ZnO缓冲层上利用

Pulse laser ranging

脉冲激光沉积制备的Ge纳米环MOS器件的存储特性

以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表

1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期

SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管，张景文，侯洵，在NH3和O2的混合气氛下，采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜，XRD分析表明ZnO薄膜掺入

在熔融石英衬底上生长高质量的SrTiO3薄膜，邢杰，高兴宇，利用磁控溅射技术在熔融石英衬底上生长了SrTiO3薄膜，然后对薄膜进行不同温度的后退火处理，利用X射线衍射和扫描电镜表征薄膜的微�

ZnWO4 单晶衬底上ZnO 薄膜的晶核发育与形貌分析，臧竞存，田战魁，ZnWO4 单晶的a晶面与氧化锌c晶面晶格匹配很好，是制备氧化锌薄膜的优良衬底。 本文采用溶胶-凝胶法在ZnWO4 单晶衬底上制

提出了一种同时测量强吸收衬底上薄膜厚度和折射率的方法。对生长于强吸收衬底上的透明薄膜,提出在该薄膜上镀一层薄金属,形成金属-薄膜-强吸收衬底的类波导结构。由于小角度入射光在强吸收衬底上具有较强的反射率