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我们考虑在没有气相沉积的情况下，在各向同性可变形基板上外延应变的无位错各向异性固态薄膜的演化的连续模型。 通过使用薄膜近似，我们导出了非线性演化方程。 我们检查了非线性演化方程，发现存在一个临界膜厚，
钙钛矿氧化物具有介电、铁电、压电、光电、超导、巨磁电阻以及光学非线性等非常丰富的特性与效应［)］. 随着高质量钙钛矿氧化物
PbTe单晶薄膜中红外光子探测器，魏晓东，何展，我们采用分子束外延技术、以CdZnTe为衬底生长PbTe外延单晶薄膜，并以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料，用AuPtTi合金作为欧�
单晶铜薄膜纳米压痕过程的分子动力学解析，杨倚寒，张霖，本文研究了单晶铜薄膜纳米压痕过程，采用分子动力学方法，建立了单晶铜薄膜纳米压痕的三维仿真模型。本文模拟纳米压痕过程，结合
采用分子束外延法分别在650-920°C的Si(110)和920°C的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920°C高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧
ZnWO4:Eu3+晶体生长、位错与光谱特性，臧竞存，祁阳，采用Czochralski法生长出光学质量的ZnWO4: Eu3+单晶。采用化学浸蚀法进行位错实验，并在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了
基于Pt装饰的多Kong单晶ZnO纳米片的氯苯传感器
不同的退火气体对FTO衬底上生长的CuO薄膜的生长和光电流性能的影响
氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(H
Ag掺杂ZnO薄膜结构和光学特性研究
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